WSR200N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSR200N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 345 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 197 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 1029 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO220FB
WSR200N08 Datasheet (PDF)
..1. Size:663K winsok
wsr200n08.pdf
wsr200n08.pdf
WSR200N08 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR200N08 is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 80V 2.9m 200Aand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSR200N08 meet the RoHS and Green Switching applicationProduct requi
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HY4008M
