Справочник MOSFET. WSR200N08

 

WSR200N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSR200N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 345 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220FB
 

 Аналог (замена) для WSR200N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR200N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  winsok
 wsr200n08.pdf pdf_icon

WSR200N08

WSR200N08 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR200N08 is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 80V 2.9m 200Aand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSR200N08 meet the RoHS and Green Switching applicationProduct requi

Другие MOSFET... WSP8810A , WSP9435 , WSP9926A , WSP9926B , WSP9936 , WSR10N65F , WSR140N08 , WSR18P10 , IRF1010E , WSR25N20 , WSR45P10 , WSR4N65F , WSR60N06 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 , WSR80N10 .

History: SSM70T03H | FDMS6673BZ | IXTP28P065T | WSR80N10 | IXTN21N100 | 2SJ302 | 2N6762

 

 
Back to Top

 


 
.