Справочник MOSFET. WSR200N08

 

WSR200N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSR200N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 345 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 197 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220FB
 

 Аналог (замена) для WSR200N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR200N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  winsok
 wsr200n08.pdf pdf_icon

WSR200N08

WSR200N08 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR200N08 is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 80V 2.9m 200Aand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSR200N08 meet the RoHS and Green Switching applicationProduct requi

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 3SK193Q | WSP8810A | FDMS6673BZ | FK16KM-5

 

 
Back to Top

 


 
.