WSR200N08 - описание и поиск аналогов

 

WSR200N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSR200N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 345 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO220FB

Аналог (замена) для WSR200N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR200N08 даташит

 ..1. Size:663K  winsok
 wsr200n08.pdf pdf_icon

WSR200N08

WSR200N08 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSR200N08 is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 80V 2.9m 200A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSR200N08 meet the RoHS and Green Switching application Product requi

Другие MOSFET... WSP8810A , WSP9435 , WSP9926A , WSP9926B , WSP9936 , WSR10N65F , WSR140N08 , WSR18P10 , IRF9540N , WSR25N20 , WSR45P10 , WSR4N65F , WSR60N06 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 , WSR80N10 .

History: H4946S | VBA1101M | ME4435 | 2SJ240 | 2SJ302-Z | TK40S06N1L | SI2301AI-MS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.