WSR45P10 Todos los transistores

 

WSR45P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSR45P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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WSR45P10 datasheet

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WSR45P10

WSR45P10 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSR45P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate -100V 44m -40A charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSR45P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful

Otros transistores... WSP9926A , WSP9926B , WSP9936 , WSR10N65F , WSR140N08 , WSR18P10 , WSR200N08 , WSR25N20 , IRLB4132 , WSR4N65F , WSR60N06 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 , WSR80N10 , WSR80P06 , WST02N10 .

History: APT10035LLL | APT5030AN | CR4N65A4K | AP3N2R4MT | AOTF4185 | AOTF4126 | JMSL0315AUD

 

 

 

 

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