WSR45P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WSR45P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 79 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
WSR45P10 Datasheet (PDF)
wsr45p10.pdf

WSR45P10 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR45P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate -100V 44m -40Acharge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSR45P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: WFF15N60 | STM6708 | VBA3638 | BUK9MJJ-55PSS | IRC240 | STD30PF03L | IXFP18N65X2
History: WFF15N60 | STM6708 | VBA3638 | BUK9MJJ-55PSS | IRC240 | STD30PF03L | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526