WSR45P10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WSR45P10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WSR45P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR45P10 даташит

 ..1. Size:774K  winsok
 wsr45p10.pdf pdf_icon

WSR45P10

WSR45P10 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSR45P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate -100V 44m -40A charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSR45P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful

Другие IGBT... WSP9926A, WSP9926B, WSP9936, WSR10N65F, WSR140N08, WSR18P10, WSR200N08, WSR25N20, IRLB4132, WSR4N65F, WSR60N06, WSR7N65F, WSR80N06, WSR80N08, WSR80N10, WSR80P06, WST02N10