Справочник MOSFET. WSR45P10

 

WSR45P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSR45P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для WSR45P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR45P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:774K  winsok
 wsr45p10.pdf pdf_icon

WSR45P10

WSR45P10 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR45P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate -100V 44m -40Acharge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSR45P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful

Другие MOSFET... WSP9926A , WSP9926B , WSP9936 , WSR10N65F , WSR140N08 , WSR18P10 , WSR200N08 , WSR25N20 , 5N60 , WSR4N65F , WSR60N06 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 , WSR80N10 , WSR80P06 , WST02N10 .

History: SSS80N06A

 

 
Back to Top

 


 
.