WSR4N65F Todos los transistores

 

WSR4N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSR4N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de WSR4N65F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WSR4N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3672K  winsok
 wsr4n65f.pdf pdf_icon

WSR4N65F

WSR4N65F N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR4N65F is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 650V 2.6 4Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSR7N65F meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Otros transistores... WSP9926B , WSP9936 , WSR10N65F , WSR140N08 , WSR18P10 , WSR200N08 , WSR25N20 , WSR45P10 , AO3400 , WSR60N06 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 , WSR80N10 , WSR80P06 , WST02N10 , WST03P06 .

History: SSU3055LA | WSR80N10 | PHP60N06LT | RU6H9R | 2N6766JANTX | WST05N10L | 2SK642

 

 
Back to Top

 


 
.