WSR4N65F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSR4N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10.2 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 46 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
Тип корпуса: TO220F
WSR4N65F Datasheet (PDF)
..1. Size:3672K winsok
wsr4n65f.pdf
wsr4n65f.pdf
WSR4N65F N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR4N65F is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 650V 2.6 4Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSR7N65F meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
