WSR4N65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WSR4N65F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WSR4N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR4N65F даташит

 ..1. Size:3672K  winsok
 wsr4n65f.pdf pdf_icon

WSR4N65F

WSR4N65F N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSR4N65F is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 650V 2.6 4A of the synchronous buck converter applications . Applications The WSR7N65F meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Другие IGBT... WSP9926B, WSP9936, WSR10N65F, WSR140N08, WSR18P10, WSR200N08, WSR25N20, WSR45P10, AO3401, WSR60N06, WSR7N65F, WSR80N06, WSR80N08, WSR80N10, WSR80P06, WST02N10, WST03P06