WSR4N65F - аналоги и даташиты транзистора

 

WSR4N65F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WSR4N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для WSR4N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR4N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3672K  winsok
 wsr4n65f.pdf pdf_icon

WSR4N65F

WSR4N65F N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR4N65F is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 650V 2.6 4Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSR7N65F meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Другие MOSFET... WSP9926B , WSP9936 , WSR10N65F , WSR140N08 , WSR18P10 , WSR200N08 , WSR25N20 , WSR45P10 , AO3400 , WSR60N06 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 , WSR80N10 , WSR80P06 , WST02N10 , WST03P06 .

History: WSR45P10 | FDP047AN08A0 | FDMS3615S | IRFU4105 | IRF644B | FQP14N30 | IXTP1N80P

 

 
Back to Top

 


 
.