Справочник MOSFET. WSR4N65F

 

WSR4N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSR4N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для WSR4N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR4N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3672K  winsok
 wsr4n65f.pdf pdf_icon

WSR4N65F

WSR4N65F N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR4N65F is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 650V 2.6 4Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSR7N65F meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WSP9435 | WSR45P10

 

 
Back to Top

 


 
.