WSR60N06 Todos los transistores

 

WSR60N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSR60N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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WSR60N06 datasheet

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WSR60N06

WSR60N06 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSR60N06 uses advanced trench technology BVDSS RDSON ID and design to provide excellent R with low DS(ON) 60V 12m 60A gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Power switching application LED backlighting Uninterruptible power supply Features High density cell

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History: RZE002P02 | SVF840D | H4N65U

 

 

 

 

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