WSR60N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WSR60N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WSR60N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR60N06 даташит

 ..1. Size:2675K  winsok
 wsr60n06.pdf pdf_icon

WSR60N06

WSR60N06 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSR60N06 uses advanced trench technology BVDSS RDSON ID and design to provide excellent R with low DS(ON) 60V 12m 60A gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Power switching application LED backlighting Uninterruptible power supply Features High density cell

Другие IGBT... WSP9936, WSR10N65F, WSR140N08, WSR18P10, WSR200N08, WSR25N20, WSR45P10, WSR4N65F, K3569, WSR7N65F, WSR80N06, WSR80N08, WSR80N10, WSR80P06, WST02N10, WST03P06, WST05N10