WSR60N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

WSR60N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WSR60N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для WSR60N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR60N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2675K  winsok
 wsr60n06.pdf pdf_icon

WSR60N06

WSR60N06 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR60N06 uses advanced trench technology BVDSS RDSON ID and design to provide excellent R with low DS(ON) 60V 12m 60Agate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Power switching application LED backlighting Uninterruptible power supplyFeatures High density cell

Другие MOSFET... WSP9936 , WSR10N65F , WSR140N08 , WSR18P10 , WSR200N08 , WSR25N20 , WSR45P10 , WSR4N65F , 12N60 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 , WSR80N10 , WSR80P06 , WST02N10 , WST03P06 , WST05N10 .

History: 2SK1282-Z | SLP12N65C | MTM68410 | SVS80R900FJDE3 | STW21NM60ND | STW32NM50N | AP4423GM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.