WST02N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WST02N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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WST02N10 Datasheet (PDF)

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wst02n10.pdf

WST02N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WST02N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , 100V 180m 2.0Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST02N10 meet the RoHS and Green Product High Frequency Poi

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Liste

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