WST02N10 Todos los transistores

 

WST02N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WST02N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de WST02N10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WST02N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:914K  winsok
 wst02n10.pdf pdf_icon

WST02N10

WST02N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WST02N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , 100V 180m 2.0Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST02N10 meet the RoHS and Green Product High Frequency Poi

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTA2N80 | APT20M45BVR

 

 
Back to Top

 


 
.