Справочник MOSFET. WST02N10

 

WST02N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WST02N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WST02N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WST02N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:914K  winsok
 wst02n10.pdf pdf_icon

WST02N10

WST02N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WST02N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , 100V 180m 2.0Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST02N10 meet the RoHS and Green Product High Frequency Poi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDP42AN15A0 | APT20M45BVR | IXTA2N80

 

 
Back to Top

 


 
.