WST02N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WST02N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WST02N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WST02N10 даташит

 ..1. Size:914K  winsok
 wst02n10.pdf pdf_icon

WST02N10

WST02N10 N-Ch MOSFET Product Summery General Description The WST02N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , 100V 180m 2.0A which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST02N10 meet the RoHS and Green Product High Frequency Poi

Другие IGBT... WSR45P10, WSR4N65F, WSR60N06, WSR7N65F, WSR80N06, WSR80N08, WSR80N10, WSR80P06, 13N50, WST03P06, WST05N10, WST05N10L, WST2004, WST2005, WST2011, WST2026, WST2066