WST03P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WST03P06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WST03P06 MOSFET
WST03P06 Datasheet (PDF)
wst03p06.pdf

WST03P06P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST30P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 88m -3.5Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST30P06 meet the RoHS and Green Prod uct requirement with
Otros transistores... WSR4N65F , WSR60N06 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 , WSR80N10 , WSR80P06 , WST02N10 , 5N60 , WST05N10 , WST05N10L , WST2004 , WST2005 , WST2011 , WST2026 , WST2066 , WST2078 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970