WST03P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WST03P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 33.1 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 41 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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WST03P06 Datasheet (PDF)

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WST03P06P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST30P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 88m -3.5Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST30P06 meet the RoHS and Green Prod uct requirement with

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