WST03P06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WST03P06 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Encapsulados: SOT23
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WST03P06 datasheet
wst03p06.pdf
WST03P06 P-Channel MOSFET General Description Product Summery The WST30P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 88m -3.5A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST30P06 meet the RoHS and Green Prod uct requirement with
Otros transistores... WSR4N65F, WSR60N06, WSR7N65F, WSR80N06, WSR80N08, WSR80N10, WSR80P06, WST02N10, AON7410, WST05N10, WST05N10L, WST2004, WST2005, WST2011, WST2026, WST2066, WST2078
History: TF68N75
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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