WST03P06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WST03P06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WST03P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WST03P06 даташит

 ..1. Size:736K  winsok
 wst03p06.pdf pdf_icon

WST03P06

WST03P06 P-Channel MOSFET General Description Product Summery The WST30P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 88m -3.5A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST30P06 meet the RoHS and Green Prod uct requirement with

Другие IGBT... WSR4N65F, WSR60N06, WSR7N65F, WSR80N06, WSR80N08, WSR80N10, WSR80P06, WST02N10, AON7410, WST05N10, WST05N10L, WST2004, WST2005, WST2011, WST2026, WST2066, WST2078