Справочник MOSFET. WST03P06

 

WST03P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WST03P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WST03P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WST03P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:736K  winsok
 wst03p06.pdf pdf_icon

WST03P06

WST03P06P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST30P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 88m -3.5Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST30P06 meet the RoHS and Green Prod uct requirement with

Другие MOSFET... WSR4N65F , WSR60N06 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 , WSR80N10 , WSR80P06 , WST02N10 , RFP50N06 , WST05N10 , WST05N10L , WST2004 , WST2005 , WST2011 , WST2026 , WST2066 , WST2078 .

History: STM4446

 

 
Back to Top

 


 
.