WST05N10 Todos los transistores

 

WST05N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WST05N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

WST05N10 Datasheet (PDF)

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WST05N10

WST05N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST05N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , 100V 135m 2.8Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST05N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Lo

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WST05N10

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History: WSP4447 | GSM2341 | RRL025P03 | MTB09N04H8 | WM02DN080C | BSS123A | 2SK1004

 

 
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