WST05N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WST05N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WST05N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WST05N10 даташит

 ..1. Size:907K  winsok
 wst05n10.pdf pdf_icon

WST05N10

WST05N10 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST05N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , 100V 135m 2.8A which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST05N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Lo

 0.1. Size:1810K  winsok
 wst05n10l.pdf pdf_icon

WST05N10

WST05N10L N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST05N10L is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell 100V 120m 3.0A density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST05N10L meet the RoHS and Green Battery protection Pr

Другие IGBT... WSR60N06, WSR7N65F, WSR80N06, WSR80N08, WSR80N10, WSR80P06, WST02N10, WST03P06, 12N60, WST05N10L, WST2004, WST2005, WST2011, WST2026, WST2066, WST2078, WST2088