Справочник MOSFET. WST05N10

 

WST05N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WST05N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WST05N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  winsok
wst05n10.pdfpdf_icon

WST05N10

WST05N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST05N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , 100V 135m 2.8Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST05N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Lo

 0.1. Size:1810K  winsok
wst05n10l.pdfpdf_icon

WST05N10

WST05N10L N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST05N10L is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell 100V 120m 3.0Adensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST05N10L meet the RoHS and Green Battery protection Pr

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AON6816 | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | QM0006G | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.