WST05N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WST05N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 7.4 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.145 Ohm
Тип корпуса: SOT23
WST05N10 Datasheet (PDF)
wst05n10.pdf
WST05N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST05N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , 100V 135m 2.8Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST05N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Lo
wst05n10l.pdf
WST05N10L N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST05N10L is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell 100V 120m 3.0Adensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST05N10L meet the RoHS and Green Battery protection Pr
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SQ2308BES
