FCA22N60N Todos los transistores

 

FCA22N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCA22N60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 205 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 45 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.165 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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FCA22N60N Datasheet (PDF)

1.1. fca22n60n.pdf Size:527K _fairchild_semi

FCA22N60N
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July 2009 SupreMOS TM FCA22N60N tm N-Channel MOSFET 600V, 22A, 0.165? Features Description RDS(on) = 0.140? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling BVDSS>650V @ TJ = 150oC process that differentiates it from preceding multi-epi based tech- nologies. By utilizing this advanced

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