Справочник MOSFET. FCA22N60N

 

FCA22N60N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FCA22N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для FCA22N60N

 

 

FCA22N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:527K  fairchild semi
 fca22n60n.pdf

FCA22N60N FCA22N60N

July 2009SupreMOS TMFCA22N60N tmN-Channel MOSFET600V, 22A, 0.165Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of highvoltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling BVDSS>650V @ TJ = 150oCprocess that differentiates it from preceding multi-epi based tech-nologies. By utilizing

Другие MOSFET... 2N7002VA , 2N7002W , BSS138K , BSS138W , FCA16N60N , IRF220 , FCA20N60F , IRF221 , IRFB3306 , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , BUZ81 , FCA47N60F109 .

 

 

Back to Top