FCA22N60N - описание и поиск аналогов

 

FCA22N60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCA22N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FCA22N60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCA22N60N даташит

 ..1. Size:527K  fairchild semi
 fca22n60n.pdf pdf_icon

FCA22N60N

July 2009 SupreMOS TM FCA22N60N tm N-Channel MOSFET 600V, 22A, 0.165 Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling BVDSS>650V @ TJ = 150oC process that differentiates it from preceding multi-epi based tech- nologies. By utilizing

Другие MOSFET... 2N7002VA , 2N7002W , BSS138K , BSS138W , FCA16N60N , IRF220 , FCA20N60F , IRF221 , IRFP064N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , BUZ81 , FCA47N60F109 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.