WST3325 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WST3325
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WST3325

WST3325 Datasheet (PDF)

..1. Size:971K winsok
wst3325.pdf

WST3325 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryTheWST3325 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate -20V 42m -5.6Acharge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST3325 meet the RoHS and Green Product requirement , with full

9.1. Size:609K winsok
wst3392.pdf

WST3392Dual N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST3392 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell 3.7A30V 40mdensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST3392 meet the RoHS and Green Product requirement with full

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History: IRFSL4321

Liste

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