WST3325 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WST3325
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 12.1 nC
   Tiempo de subida (tr): 45 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 108 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WST3325

WST3325 Datasheet (PDF)

..1. Size:971K winsok
wst3325.pdf

WST3325 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryTheWST3325 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate -20V 42m -5.6Acharge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST3325 meet the RoHS and Green Product requirement , with full

9.1. Size:609K winsok
wst3392.pdf

WST3392Dual N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST3392 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell 3.7A30V 40mdensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST3392 meet the RoHS and Green Product requirement with full

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: