WST3325 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WST3325  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WST3325

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WST3325 даташит

 ..1. Size:971K  winsok
 wst3325.pdf pdf_icon

WST3325

WST3325 P-Ch MOSFET General Description Product Summery TheWST3325 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate -20V 42m -5.6A charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST3325 meet the RoHS and Green Product requirement , with full

 9.1. Size:609K  winsok
 wst3392.pdf pdf_icon

WST3325

WST3392 Dual N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST3392 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell 3.7A 30V 40m density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST3392 meet the RoHS and Green Product requirement with full

Другие IGBT... WST2339, WST2N7002, WST2N7002A, WST2N7002K, WST3032, WST3034, WST3052, WST3078, IRFZ48N, WST3392, WST3400, WST3400A, WST3400S, WST3401, WST3401A, WST3403, WST3404A