FCA36N60NF Todos los transistores

 

FCA36N60NF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCA36N60NF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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FCA36N60NF datasheet

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FCA36N60NF

March 2013 FCA36N60NF N-Channel SupreMOS FRFET MOSFET 600 V, 34.9 A, 95 m Features Description RDS(on) = 80 m (Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 18 A The SupreMOS MOSFET is Fairchild Semiconductor s next- generation of high voltage super-junction (SJ) technology Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 86 nC) employing a deep trench filling process that differentiate it from th

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