FCA36N60NF Todos los transistores

 

FCA36N60NF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCA36N60NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 86 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FCA36N60NF Datasheet (PDF)

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FCA36N60NF

March 2013FCA36N60NF N-Channel SupreMOS FRFET MOSFET 600 V, 34.9 A, 95 mFeatures Description RDS(on) = 80 m (Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 18 A The SupreMOS MOSFET is Fairchild Semiconductors next-generation of high voltage super-junction (SJ) technology Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 86 nC)employing a deep trench filling process that differentiate it from th

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