FCA36N60NF - аналоги и даташиты транзистора

 

FCA36N60NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FCA36N60NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FCA36N60NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCA36N60NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  fairchild semi
 fca36n60nf.pdf pdf_icon

FCA36N60NF

March 2013FCA36N60NF N-Channel SupreMOS FRFET MOSFET 600 V, 34.9 A, 95 mFeatures Description RDS(on) = 80 m (Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 18 A The SupreMOS MOSFET is Fairchild Semiconductors next-generation of high voltage super-junction (SJ) technology Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 86 nC)employing a deep trench filling process that differentiate it from th

Другие MOSFET... FCA16N60N , IRF220 , FCA20N60F , IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , IRF3205 , IRF3705 , FCA47N60 , BUZ81 , FCA47N60F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C , FCA47N60F , FCA76N60N .

History: FY4AEJ-03 | FX3ASJ-3

 

 
Back to Top

 


 
.