Справочник MOSFET. FCA36N60NF

 

FCA36N60NF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FCA36N60NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 86 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для FCA36N60NF

 

 

FCA36N60NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  fairchild semi
 fca36n60nf.pdf

FCA36N60NF FCA36N60NF

March 2013FCA36N60NF N-Channel SupreMOS FRFET MOSFET 600 V, 34.9 A, 95 mFeatures Description RDS(on) = 80 m (Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 18 A The SupreMOS MOSFET is Fairchild Semiconductors next-generation of high voltage super-junction (SJ) technology Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 86 nC)employing a deep trench filling process that differentiate it from th

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top