FCA36N60NF - описание и поиск аналогов

 

FCA36N60NF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCA36N60NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FCA36N60NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCA36N60NF даташит

 ..1. Size:268K  fairchild semi
 fca36n60nf.pdf pdf_icon

FCA36N60NF

March 2013 FCA36N60NF N-Channel SupreMOS FRFET MOSFET 600 V, 34.9 A, 95 m Features Description RDS(on) = 80 m (Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 18 A The SupreMOS MOSFET is Fairchild Semiconductor s next- generation of high voltage super-junction (SJ) technology Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 86 nC) employing a deep trench filling process that differentiate it from th

Другие MOSFET... FCA16N60N , IRF220 , FCA20N60F , IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , IRF3205 , IRF3705 , FCA47N60 , BUZ81 , FCA47N60F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C , FCA47N60F , FCA76N60N .

History: IRF222 | FCA22N60N

 

 

 


 
↑ Back to Top
.