WST6401 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WST6401  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm

Encapsulados: SOT23N

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WST6401 datasheet

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WST6401

WST6401 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST6401 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -20V 135m -2.5A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6401 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu

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WST6401

WST6402 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST6402 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON -4.4A -20V 50m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WST6402 meet the RoHS and Green Product requirement,with full function Hig

Otros transistores... WST4041, WST4045, WST6002, WST6003, WST6008, WST6045, WST6066A, WST6225, IRF640N, WST6402, WST8205, WST8205A, WSTBSS123, WSTBSS138, WCM2079, WNM01N10, WNM2016A