WST6401 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WST6401  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: SOT23N

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WST6401

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WST6401 даташит

 ..1. Size:2065K  winsok
 wst6401.pdf pdf_icon

WST6401

WST6401 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST6401 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -20V 135m -2.5A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6401 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu

 8.1. Size:1523K  winsok
 wst6402.pdf pdf_icon

WST6401

WST6402 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST6402 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON -4.4A -20V 50m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WST6402 meet the RoHS and Green Product requirement,with full function Hig

Другие IGBT... WST4041, WST4045, WST6002, WST6003, WST6008, WST6045, WST6066A, WST6225, IRF640N, WST6402, WST8205, WST8205A, WSTBSS123, WSTBSS138, WCM2079, WNM01N10, WNM2016A