WST6401 - аналоги и даташиты транзистора

 

WST6401 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WST6401
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: SOT23N
 

 Аналог (замена) для WST6401

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WST6401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2065K  winsok
 wst6401.pdf pdf_icon

WST6401

WST6401 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST6401 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -20V 135m -2.5Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6401 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu

 8.1. Size:1523K  winsok
 wst6402.pdf pdf_icon

WST6401

WST6402P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST6402 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON -4.4A-20V 50mand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WST6402 meet the RoHS and Green Product requirement,with full function Hig

Другие MOSFET... WST4041 , WST4045 , WST6002 , WST6003 , WST6008 , WST6045 , WST6066A , WST6225 , IRF640N , WST6402 , WST8205 , WST8205A , WSTBSS123 , WSTBSS138 , WCM2079 , WNM01N10 , WNM2016A .

History: NCE30P55K | WST6045

 

 
Back to Top

 


 
.