WST6402 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WST6402
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SOT23N
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WST6402 datasheet
wst6402.pdf
WST6402 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST6402 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON -4.4A -20V 50m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WST6402 meet the RoHS and Green Product requirement,with full function Hig
wst6401.pdf
WST6401 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST6401 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -20V 135m -2.5A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6401 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu
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History: WNM2016A
History: WNM2016A
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