Справочник MOSFET. WST6402

 

WST6402 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WST6402
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23N
 

 Аналог (замена) для WST6402

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WST6402 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1523K  winsok
wst6402.pdfpdf_icon

WST6402

WST6402P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST6402 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON -4.4A-20V 50mand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WST6402 meet the RoHS and Green Product requirement,with full function Hig

 8.1. Size:2065K  winsok
wst6401.pdfpdf_icon

WST6402

WST6401 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST6401 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -20V 135m -2.5Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6401 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu

Другие MOSFET... WST4045 , WST6002 , WST6003 , WST6008 , WST6045 , WST6066A , WST6225 , WST6401 , 10N60 , WST8205 , WST8205A , WSTBSS123 , WSTBSS138 , WCM2079 , WNM01N10 , WNM2016A , WNM2046C .

History: SIHG47N60AEF | SUN0765F | NCEP080N10A | SSM9918GJ

 

 
Back to Top

 


 
.