WST6402 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WST6402
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT23N
Аналог (замена) для WST6402
WST6402 Datasheet (PDF)
wst6402.pdf

WST6402P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST6402 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON -4.4A-20V 50mand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WST6402 meet the RoHS and Green Product requirement,with full function Hig
wst6401.pdf

WST6401 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST6401 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -20V 135m -2.5Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6401 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu
Другие MOSFET... WST4045 , WST6002 , WST6003 , WST6008 , WST6045 , WST6066A , WST6225 , WST6401 , 10N60 , WST8205 , WST8205A , WSTBSS123 , WSTBSS138 , WCM2079 , WNM01N10 , WNM2016A , WNM2046C .
History: SIHG47N60AEF | SUN0765F | NCEP080N10A | SSM9918GJ
History: SIHG47N60AEF | SUN0765F | NCEP080N10A | SSM9918GJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918