WST8205 Todos los transistores

 

WST8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WST8205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WST8205 Datasheet (PDF)

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WST8205

WST8205Dual N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST8205 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 20V 24m 5.8Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST8205 meet the RoHS and Green Product High Frequency Point-

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WST8205

WST8205ADual N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST8205A is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 20V 32m 5.3Afor most of the small power switching and load switch applications.Applications The WST8205A meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load

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History: IRLI3803PBF | NCE80H12

 

 
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