WST8205 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WST8205  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WST8205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WST8205 даташит

 ..1. Size:990K  winsok
 wst8205.pdf pdf_icon

WST8205

WST8205 Dual N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST8205 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 20V 24m 5.8A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST8205 meet the RoHS and Green Product High Frequency Point-

 0.1. Size:1703K  winsok
 wst8205a.pdf pdf_icon

WST8205

WST8205A Dual N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST8205A is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 20V 32m 5.3A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST8205A meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load

Другие IGBT... WST6002, WST6003, WST6008, WST6045, WST6066A, WST6225, WST6401, WST6402, AO3400, WST8205A, WSTBSS123, WSTBSS138, WCM2079, WNM01N10, WNM2016A, WNM2046C, WNM2077