WSTBSS123 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSTBSS123
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Encapsulados: SOT23N
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WSTBSS123 datasheet
wstbss123.pdf
WSTBSS123 N-Ch MOSFET Product Summery General Description The WSTBSS123 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell 100V 210m 2.0A density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSTBSS123 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-L
wstbss138.pdf
WSTBSS138 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSTBSS138 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 110m 60V 2.1A charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSTBSS138 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guara
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