Справочник MOSFET. WSTBSS123

 

WSTBSS123 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSTBSS123
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: SOT23N
 

 Аналог (замена) для WSTBSS123

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSTBSS123 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1706K  winsok
wstbss123.pdfpdf_icon

WSTBSS123

WSTBSS123N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSTBSS123 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell 100V 210m 2.0Adensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSTBSS123 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-L

 7.1. Size:1243K  winsok
wstbss138.pdfpdf_icon

WSTBSS123

WSTBSS138N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSTBSS138 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 110m 60V 2.1A charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSTBSS138 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guara

Другие MOSFET... WST6008 , WST6045 , WST6066A , WST6225 , WST6401 , WST6402 , WST8205 , WST8205A , P55NF06 , WSTBSS138 , WCM2079 , WNM01N10 , WNM2016A , WNM2046C , WNM2077 , WNM3018 , WNM3025 .

History: IRFR540ZPBF | SWH15P03 | WMM07N60C4 | NP180N055TUJ | IRLU8721PBF | 1H10 | SSF5NS70D

 

 
Back to Top

 


 
.