Справочник MOSFET. WSTBSS123

 

WSTBSS123 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSTBSS123
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: SOT23N

 Аналог (замена) для WSTBSS123

 

 

WSTBSS123 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1706K  winsok
 wstbss123.pdf

WSTBSS123 WSTBSS123

WSTBSS123N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSTBSS123 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell 100V 210m 2.0Adensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSTBSS123 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-L

 7.1. Size:1243K  winsok
 wstbss138.pdf

WSTBSS123 WSTBSS123

WSTBSS138N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSTBSS138 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 110m 60V 2.1A charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSTBSS138 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guara

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVG104R5NS6

 

 
Back to Top