Справочник MOSFET. WSTBSS123

 

WSTBSS123 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSTBSS123
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: SOT23N
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WSTBSS123 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1706K  winsok
wstbss123.pdfpdf_icon

WSTBSS123

WSTBSS123N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSTBSS123 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell 100V 210m 2.0Adensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSTBSS123 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-L

 7.1. Size:1243K  winsok
wstbss138.pdfpdf_icon

WSTBSS123

WSTBSS138N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSTBSS138 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 110m 60V 2.1A charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSTBSS138 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guara

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: KNB3208A | AP3020 | SSF5NS65UG | CS5N60F | STF12N65M2 | WM02P160R | 2SJ412

 

 
Back to Top

 


 
.