WNM01N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WNM01N10
   Código: NA*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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WNM01N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:1667K willsemi
wnm01n10.pdf

WNM01N10 WNM01N10 Single N-Channel, 100V, 1.7A, Power MOSFET Http://www.sh-willsemi.com VDS (V) Typical Rds(on) () DD0.235@ VGS=10V 100 0.255@ VGS=4.5V SSGGSOT-23 Descriptions D3The WNM01N10 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is

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