WNM01N10 Todos los transistores

 

WNM01N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WNM01N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm

Encapsulados: SOT23

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WNM01N10 datasheet

 ..1. Size:1667K  willsemi
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WNM01N10

WNM01N10 WNM01N10 Single N-Channel, 100V, 1.7A, Power MOSFET Http //www.sh-willsemi.com VDS (V) Typical Rds(on) ( ) D D 0.235@ VGS=10V 100 0.255@ VGS=4.5V S S G G SOT-23 Descriptions D 3 The WNM01N10 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is

Otros transistores... WST6225 , WST6401 , WST6402 , WST8205 , WST8205A , WSTBSS123 , WSTBSS138 , WCM2079 , IRFB4115 , WNM2016A , WNM2046C , WNM2077 , WNM3018 , WNM3025 , WNM6002 , WNM7002 , WNMD2167 .

History: FDPC4044

 

 

 

 

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