WNM01N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WNM01N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 23.6 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WNM01N10
WNM01N10 Datasheet (PDF)
wnm01n10.pdf

WNM01N10 WNM01N10 Single N-Channel, 100V, 1.7A, Power MOSFET Http://www.sh-willsemi.com VDS (V) Typical Rds(on) () DD0.235@ VGS=10V 100 0.255@ VGS=4.5V SSGGSOT-23 Descriptions D3The WNM01N10 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is
Другие MOSFET... WST6225 , WST6401 , WST6402 , WST8205 , WST8205A , WSTBSS123 , WSTBSS138 , WCM2079 , IRFP250N , WNM2016A , WNM2046C , WNM2077 , WNM3018 , WNM3025 , WNM6002 , WNM7002 , WNMD2167 .
History: 2SK4114 | NCE3080L | SI4N60-TN3-T | SJMN099RH65SW | STP28N65M2
History: 2SK4114 | NCE3080L | SI4N60-TN3-T | SJMN099RH65SW | STP28N65M2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor