Справочник MOSFET. WNM01N10

 

WNM01N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WNM01N10
   Маркировка: NA*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для WNM01N10

 

 

WNM01N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1667K  willsemi
 wnm01n10.pdf

WNM01N10 WNM01N10

WNM01N10 WNM01N10 Single N-Channel, 100V, 1.7A, Power MOSFET Http://www.sh-willsemi.com VDS (V) Typical Rds(on) () DD0.235@ VGS=10V 100 0.255@ VGS=4.5V SSGGSOT-23 Descriptions D3The WNM01N10 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top