WNM01N10 - описание и поиск аналогов

 

WNM01N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WNM01N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WNM01N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM01N10 даташит

 ..1. Size:1667K  willsemi
 wnm01n10.pdf pdf_icon

WNM01N10

WNM01N10 WNM01N10 Single N-Channel, 100V, 1.7A, Power MOSFET Http //www.sh-willsemi.com VDS (V) Typical Rds(on) ( ) D D 0.235@ VGS=10V 100 0.255@ VGS=4.5V S S G G SOT-23 Descriptions D 3 The WNM01N10 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is

Другие MOSFET... WST6225 , WST6401 , WST6402 , WST8205 , WST8205A , WSTBSS123 , WSTBSS138 , WCM2079 , IRFB4115 , WNM2016A , WNM2046C , WNM2077 , WNM3018 , WNM3025 , WNM6002 , WNM7002 , WNMD2167 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.