WNM7002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WNM7002
   Código: 701*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.41 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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WNM7002 Datasheet (PDF)

..1. Size:814K willsemi
wnm7002.pdf

WNM7002 WNM7002 Single N-Channel, 60V, 0.3A, Power MOSFET Http://www.sh-willsemi.com DVDS (V) Typical RDS(on) () 3.7 @ VGS= 10V 60 S3.8 @ VGS= 4.5V GESD protected SOT-23 Descriptions D The WNM7002 is N-Channel enhancement MOS 3 Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is

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