Справочник MOSFET. WNM7002

 

WNM7002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WNM7002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WNM7002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM7002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:814K  willsemi
wnm7002.pdfpdf_icon

WNM7002

WNM7002 WNM7002 Single N-Channel, 60V, 0.3A, Power MOSFET Http://www.sh-willsemi.com DVDS (V) Typical RDS(on) () 3.7 @ VGS= 10V 60 S3.8 @ VGS= 4.5V GESD protected SOT-23 Descriptions D The WNM7002 is N-Channel enhancement MOS 3 Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is

Другие MOSFET... WCM2079 , WNM01N10 , WNM2016A , WNM2046C , WNM2077 , WNM3018 , WNM3025 , WNM6002 , K3569 , WNMD2167 , WPM2081 , WPM2083 , WPM2087 , WPM3020 , WPM3021 , WPM3022 , WPT2N31 .

History: FCB260N65S3 | AOD242 | SI2369DS | SSM9926TGO | 8958 | KIA5N60E | FCD600N65S3R0

 

 
Back to Top

 


 
.