FKBA4903 Todos los transistores

 

FKBA4903 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FKBA4903

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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FKBA4903 datasheet

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FKBA4903

FKBA4903 N&P Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Advanced trench technology to provide For N-Channel MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low V = 40V DS operation voltage. This device is suitable for using R = 25m @ V =10V DS(ON) GS as a load switch or in PWM applications. Low R For P-Channel MOSFET DS(on) Small Packa

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