FKBA4903 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FKBA4903
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FKBA4903

FKBA4903 Datasheet (PDF)

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fkba4903.pdf

FKBA4903N&P Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For N-Channel MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 40VDSoperation voltage. This device is suitable for using R = 25m @ V =10VDS(ON) GSas a load switch or in PWM applications. Low R For P-Channel MOSFETDS(on) Small Packa

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Liste

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