Справочник MOSFET. FKBA4903

 

FKBA4903 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FKBA4903
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для FKBA4903

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FKBA4903 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:886K  cn sino-ic
 fkba4903.pdf pdf_icon

FKBA4903

FKBA4903N&P Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For N-Channel MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 40VDSoperation voltage. This device is suitable for using R = 25m @ V =10VDS(ON) GSas a load switch or in PWM applications. Low R For P-Channel MOSFETDS(on) Small Packa

Другие MOSFET... WPM2081 , WPM2083 , WPM2087 , WPM3020 , WPM3021 , WPM3022 , WPT2N31 , WPT2N32 , 8205A , MT7N65 , MT7N65-220F , SE01P13K , SE100130A , SE100130GA , SE10015 , SE100150G , SE100180GA .

History: MS12N65

 

 
Back to Top

 


 
.