FKBA4903. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FKBA4903
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для FKBA4903
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FKBA4903 даташит
fkba4903.pdf
FKBA4903 N&P Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Advanced trench technology to provide For N-Channel MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low V = 40V DS operation voltage. This device is suitable for using R = 25m @ V =10V DS(ON) GS as a load switch or in PWM applications. Low R For P-Channel MOSFET DS(on) Small Packa
Другие MOSFET... WPM2081 , WPM2083 , WPM2087 , WPM3020 , WPM3021 , WPM3022 , WPT2N31 , WPT2N32 , IRFP260 , MT7N65 , MT7N65-220F , SE01P13K , SE100130A , SE100130GA , SE10015 , SE100150G , SE100180GA .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r

