MT7N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MT7N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
Encapsulados: TO220 TO262 TO263
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MT7N65 datasheet
mt7n65.pdf
Oct 2014 MT7N65 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, V = 650V DS such as fast switching time, low gate charge, R = 1 @ V =10V, I =3.7A DS(ON) GS DS low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin
Otros transistores... WPM2083 , WPM2087 , WPM3020 , WPM3021 , WPM3022 , WPT2N31 , WPT2N32 , FKBA4903 , 4435 , MT7N65-220F , SE01P13K , SE100130A , SE100130GA , SE10015 , SE100150G , SE100180GA , SE100250GTS .
History: FKBA4903 | CS8205 | NTB25P06
History: FKBA4903 | CS8205 | NTB25P06
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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