MT7N65 Todos los transistores

 

MT7N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT7N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220 TO262 TO263
 

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MT7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:977K  cn sino-ic
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MT7N65

Oct 2014MT7N65N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V = 650VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R = 1 @ V =10V, I =3.7ADS(ON) GS DSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin

 0.1. Size:2930K  dyelec
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MT7N65

7N65 650V N-Channel Power MOSFET RDS(ON)

Otros transistores... WPM2083 , WPM2087 , WPM3020 , WPM3021 , WPM3022 , WPT2N31 , WPT2N32 , FKBA4903 , 2SK3568 , MT7N65-220F , SE01P13K , SE100130A , SE100130GA , SE10015 , SE100150G , SE100180GA , SE100250GTS .

History: PSMN7R8-100PSE | CS540A3 | HFS8N70U

 

 
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