Справочник MOSFET. MT7N65

 

MT7N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MT7N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO262 TO263
 

 Аналог (замена) для MT7N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MT7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:977K  cn sino-ic
 mt7n65.pdf pdf_icon

MT7N65

Oct 2014MT7N65N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V = 650VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R = 1 @ V =10V, I =3.7ADS(ON) GS DSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin

 0.1. Size:2930K  dyelec
 dmt7n65 dmf7n65 dmk7n65 dmg7n65.pdf pdf_icon

MT7N65

7N65 650V N-Channel Power MOSFET RDS(ON)

Другие MOSFET... WPM2083 , WPM2087 , WPM3020 , WPM3021 , WPM3022 , WPT2N31 , WPT2N32 , FKBA4903 , 2SK3568 , MT7N65-220F , SE01P13K , SE100130A , SE100130GA , SE10015 , SE100150G , SE100180GA , SE100250GTS .

History: ME12N04-G | SM4927BSKC | RFD16N03LSM | SWN7N65D | SUN830DN | IPP26CN10N | J174

 

 
Back to Top

 


 
.