BUZ81 Todos los transistores

 

BUZ81 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ81

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ81

 

BUZ81 Datasheet (PDF)

1.1. buz81.pdf Size:176K _siemens

BUZ81
BUZ81

BUZ 81 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 81 800 V 4 A 2.5 Ω TO-220 AB C67078-S1345-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 48 °C 4 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 °C 16 Avalanche current,limited by Tjmax IAR 4 A

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top

 


BUZ81
  BUZ81
  BUZ81
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: US6U37 | US6M2 | US6M11 | US6M1 | US6K4 | US6K2 | US6K1 | US6J11 | US5U38 | US5U35 | US5U30 | US5U3 | US5U29TR | US5U2 | US5U1 |

 

 

 
Back to Top