BUZ81 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ81
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ81
BUZ81 Datasheet (PDF)
1.1. buz81.pdf 
Size:176K _siemens
BUZ 81 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 81 800 V 4 A 2.5 Ω TO-220 AB C67078-S1345-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 48 °C 4 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 °C 16 Avalanche current,limited by Tjmax IAR 4 A
Otros transistores... IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , IRF840 , FCA47N60_F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C , FCA47N60F , FCA76N60N , 2SJ245 , FCB11N60 , 2SK3653 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SWP069R10VS | SWD069R10VS | SWI069R10VS | NTHL082N65S3F | NSVJ3557SA3 | NP90N06VLG | NP90N055VUK | NP90N055VUG | NP90N055VDG | NP90N055PUH | NP90N055PDH | NP90N055NUK | NP90N055NUH | NP90N055NDH | NP90N055MUK |