BUZ81 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ81
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de BUZ81 MOSFET
BUZ81 Datasheet (PDF)
buz81.pdf

BUZ 81SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 81 800 V 4 A 2.5 TO-220 AB C67078-S1345-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 48 C 4Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 16Avalanche current,limited by Tjmax IAR 4A
Otros transistores... IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , IRF840 , FCA47N60F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C , FCA47N60F , FCA76N60N , 2SJ245 , FCB11N60 , 2SK3653 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S | AP6P04S | AP6G03S | AP65N06DF | AP65N06D | AP4957A | AP15H06S | AP10G04S | AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI
Popular searches
c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940