BUZ81 Todos los transistores

 

BUZ81 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ81
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUZ81 Datasheet (PDF)

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BUZ81

BUZ 81SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 81 800 V 4 A 2.5 TO-220 AB C67078-S1345-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 48 C 4Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 16Avalanche current,limited by Tjmax IAR 4A

Otros transistores... IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , IRF840 , FCA47N60F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C , FCA47N60F , FCA76N60N , 2SJ245 , FCB11N60 , 2SK3653 .

 

 
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