BUZ81 Todos los transistores

 

BUZ81 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ81

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ81

 

BUZ81 Datasheet (PDF)

1.1. buz81.pdf Size:176K _siemens

BUZ81
BUZ81

BUZ 81 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 81 800 V 4 A 2.5 Ω TO-220 AB C67078-S1345-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 48 °C 4 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 °C 16 Avalanche current,limited by Tjmax IAR 4 A

Otros transistores... IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , IRF840 , FCA47N60_F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C , FCA47N60F , FCA76N60N , 2SJ245 , FCB11N60 , 2SK3653 .

 

 
Back to Top

 


BUZ81
  BUZ81
  BUZ81
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SWP069R10VS | SWD069R10VS | SWI069R10VS | NTHL082N65S3F | NSVJ3557SA3 | NP90N06VLG | NP90N055VUK | NP90N055VUG | NP90N055VDG | NP90N055PUH | NP90N055PDH | NP90N055NUK | NP90N055NUH | NP90N055NDH | NP90N055MUK |

 

 

 
Back to Top