BUZ81 Todos los transistores

 

BUZ81 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ81
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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BUZ81 datasheet

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BUZ81

BUZ 81 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 81 800 V 4 A 2.5 TO-220 AB C67078-S1345-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 48 C 4 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 16 Avalanche current,limited by Tjmax IAR 4 A

Otros transistores... IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , 20N60 , FCA47N60F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C , FCA47N60F , FCA76N60N , 2SJ245 , FCB11N60 , 2SK3653 .

 

 
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