BUZ81 - описание и поиск аналогов

 

BUZ81. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ81

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для BUZ81

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ81 даташит

 ..1. Size:176K  siemens
 buz81.pdf pdf_icon

BUZ81

BUZ 81 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 81 800 V 4 A 2.5 TO-220 AB C67078-S1345-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 48 C 4 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 16 Avalanche current,limited by Tjmax IAR 4 A

Другие MOSFET... IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , 20N60 , FCA47N60F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C , FCA47N60F , FCA76N60N , 2SJ245 , FCB11N60 , 2SK3653 .

History: FCA22N60N

 

 

 


 
↑ Back to Top
.