Справочник MOSFET. BUZ81

 

BUZ81 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ81
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для BUZ81

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ81 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  siemens
 buz81.pdf pdf_icon

BUZ81

BUZ 81SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 81 800 V 4 A 2.5 TO-220 AB C67078-S1345-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 48 C 4Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 16Avalanche current,limited by Tjmax IAR 4A

Другие MOSFET... IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , 20N60 , FCA47N60F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C , FCA47N60F , FCA76N60N , 2SJ245 , FCB11N60 , 2SK3653 .

History: IRFP232 | FCPF2250N80Z

 

 
Back to Top

 


 
.