Справочник MOSFET. BUZ81

 

BUZ81 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ81
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ81 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  siemens
 buz81.pdf pdf_icon

BUZ81

BUZ 81SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 81 800 V 4 A 2.5 TO-220 AB C67078-S1345-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 48 C 4Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 16Avalanche current,limited by Tjmax IAR 4A

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IPD33CN10NG | APT20M36SFLLG | NDT6N70 | AP10TN010CMT | APT47N60SC3G | IPD50R280CE | AP73T03AGMT-HF

 

 
Back to Top

 


 
.