SE01P13K Todos los transistores

 

SE01P13K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE01P13K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO252

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SE01P13K datasheet

 ..1. Size:453K  cn sino-ic
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SE01P13K

SE01P13K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Revision A General Description Features Advanced trench technology to provide For a single MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low V =-100V DS operation voltage. This device is suitable for R = 170m @V =-10V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package O

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History: 8205B | NTB5404N | IPAN60R800CE

 

 

 

 

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