SE01P13K Todos los transistores

 

SE01P13K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE01P13K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SE01P13K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  cn sino-ic
 se01p13k.pdf pdf_icon

SE01P13K

SE01P13KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V =-100VDSoperation voltage. This device is suitable for R = 170m @V =-10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package O

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History: PSMN2R0-30BL | 2SK4027 | APT5014LVFRG | FS10KM-10 | UT3N10G-AG6-R | AO4916 | NCEAP40ND60AG

 

 
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