SE01P13K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SE01P13K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Tiempo de subida (tr): 18 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SE01P13K Datasheet (PDF)

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se01p13k.pdf

SE01P13KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V =-100VDSoperation voltage. This device is suitable for R = 170m @V =-10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package O

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Liste

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