SE01P13K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SE01P13K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 260 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO252
SE01P13K Datasheet (PDF)
..1. Size:453K cn sino-ic
se01p13k.pdf
se01p13k.pdf
SE01P13KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V =-100VDSoperation voltage. This device is suitable for R = 170m @V =-10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package O
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
