Справочник MOSFET. SE01P13K

 

SE01P13K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE01P13K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SE01P13K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE01P13K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  cn sino-ic
 se01p13k.pdf pdf_icon

SE01P13K

SE01P13KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V =-100VDSoperation voltage. This device is suitable for R = 170m @V =-10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package O

Другие MOSFET... WPM3020 , WPM3021 , WPM3022 , WPT2N31 , WPT2N32 , FKBA4903 , MT7N65 , MT7N65-220F , IRF9540N , SE100130A , SE100130GA , SE10015 , SE100150G , SE100180GA , SE100250GTS , SE1003 , SE10030A .

History: VBZM8N60 | SSP65R080SFD3 | SSF53A0E

 

 
Back to Top

 


 
.