SE01P13K - описание и поиск аналогов

 

SE01P13K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE01P13K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SE01P13K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE01P13K даташит

 ..1. Size:453K  cn sino-ic
 se01p13k.pdf pdf_icon

SE01P13K

SE01P13K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Revision A General Description Features Advanced trench technology to provide For a single MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low V =-100V DS operation voltage. This device is suitable for R = 170m @V =-10V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package O

Другие MOSFET... WPM3020 , WPM3021 , WPM3022 , WPT2N31 , WPT2N32 , FKBA4903 , MT7N65 , MT7N65-220F , SKD502T , SE100130A , SE100130GA , SE10015 , SE100150G , SE100180GA , SE100250GTS , SE1003 , SE10030A .

History: NTB5426N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.