Справочник MOSFET. SE01P13K

 

SE01P13K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SE01P13K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SE01P13K

 

 

SE01P13K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  cn sino-ic
 se01p13k.pdf

SE01P13K SE01P13K

SE01P13KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V =-100VDSoperation voltage. This device is suitable for R = 170m @V =-10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package O

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top