SE120120G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SE120120G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 185 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 129 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 641 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220 TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE120120G

SE120120G Datasheet (PDF)

..1. Size:569K cn sino-ic
se120120g.pdf

SE120120GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETThis device used advanced semiconductortechnology and design to provide excellent RDS(ON) V =120VDSwith low gate charge and low operation voltage. It can R =4.4m @V =10VDS(ON) GSbe used in wide variety of application Excellent package for superior thermal resis

9.1. Size:457K crhj
crse120n10l2.pdf

CRSE120N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100, 11.0m, 11AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100 Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ11.0m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ14.0mID Qualified according to JEDEC criteria 11AApplications Synchronous Rectification f

9.2. Size:687K cn sino-ic
se12060ga.pdf

SE12060GAN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V = 120VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R = 12m @ V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configuration

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: TMD7N65AZ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: