SE120120G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE120120G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 185 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 120 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 129 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 84.7 nC
Tiempo de subida (tr): 67 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 641 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0061 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220 TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE120120G
SE120120G Datasheet (PDF)
se120120g.pdf
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crse120n10l2.pdf
CRSE120N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100, 11.0m, 11AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100 Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ11.0m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ14.0mID Qualified according to JEDEC criteria 11AApplications Synchronous Rectification f
se12060ga.pdf
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