SE120120G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SE120120G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 185 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 129 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 84.7 nC
Время нарастания (tr): 67 ns
Выходная емкость (Cd): 641 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0061 Ohm
Тип корпуса: TO220 TO263
SE120120G Datasheet (PDF)
se120120g.pdf
SE120120GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETThis device used advanced semiconductortechnology and design to provide excellent RDS(ON) V =120VDSwith low gate charge and low operation voltage. It can R =4.4m @V =10VDS(ON) GSbe used in wide variety of application Excellent package for superior thermal resis
crse120n10l2.pdf
CRSE120N10L2() SkyMOS2 N-MOSFET 100, 11.0m, 11AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology 100 Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ11.0m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ14.0mID Qualified according to JEDEC criteria 11AApplications Synchronous Rectification f
se12060ga.pdf
SE12060GAN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V = 120VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R = 12m @ V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configuration
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
