SE1216 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE1216
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 685 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Encapsulados: DFN2X2-6L
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SE1216 datasheet
se1216.pdf
Mar 2015 SE1216 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Advanced trench technology to provide For a single MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low V = -12V DS operation voltage. This device is suitable for R =11m @V =-4.5V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. R =14m @V =-2.5V DS(ON) GS Simple D
Otros transistores... SE100250GTS , SE1003 , SE10030A , SE10060A , SE10080A , SE100P60 , SE120120G , SE12060GA , IRFP450 , SE12N50FRA , SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A .
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