SE1216 - описание и поиск аналогов

 

SE1216. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE1216

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для SE1216

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE1216 даташит

 ..1. Size:170K  cn sino-ic
 se1216.pdf pdf_icon

SE1216

Mar 2015 SE1216 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Advanced trench technology to provide For a single MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low V = -12V DS operation voltage. This device is suitable for R =11m @V =-4.5V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. R =14m @V =-2.5V DS(ON) GS Simple D

Другие MOSFET... SE100250GTS , SE1003 , SE10030A , SE10060A , SE10080A , SE100P60 , SE120120G , SE12060GA , IRFP450 , SE12N50FRA , SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A .

History: SSM6J511NU | AP9922GEO | SI1040X | IRFS621 | SI1039X | AP9950AGP | CJQ07N10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.