Справочник MOSFET. SE1216

 

SE1216 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE1216
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для SE1216

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE1216 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  cn sino-ic
 se1216.pdf pdf_icon

SE1216

Mar 2015SE1216P-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = -12VDSoperation voltage. This device is suitable for R =11m @V =-4.5VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWM applications. R =14m @V =-2.5VDS(ON) GS Simple D

Другие MOSFET... SE100250GTS , SE1003 , SE10030A , SE10060A , SE10080A , SE100P60 , SE120120G , SE12060GA , IRF1407 , SE12N50FRA , SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A .

History: CPC5602C | 2SK960

 

 
Back to Top

 


 
.