SE12N50FRA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE12N50FRA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SE12N50FRA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SE12N50FRA datasheet

 ..1. Size:1693K  cn sino-ic
 se12n50fra.pdf pdf_icon

SE12N50FRA

SE12N50FRA N-Channel Enhancement-Mode MOSFET with FR Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 500V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 0.58 @ VGS=10V FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

 9.1. Size:384K  cn sino-ic
 se12n65.pdf pdf_icon

SE12N50FRA

SE12N65 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =630m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

Otros transistores... SE1003, SE10030A, SE10060A, SE10080A, SE100P60, SE120120G, SE12060GA, SE1216, STP80NF70, SE12N65, SE138U, SE150110G, SE150180G, SE150180GTS, SE15N50FRA, SE18NS65A, SE1991G