SE12N50FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE12N50FRA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 20 nC
Tiempo de subida (tr): 31 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 58 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE12N50FRA
SE12N50FRA Datasheet (PDF)
se12n50fra.pdf
SE12N50FRA N-Channel Enhancement-Mode MOSFET with FR Revision: A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 500V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 0.58 @ VGS=10V FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device
se12n65.pdf
SE12N65N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =630m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations
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