SE12N50FRA - описание и поиск аналогов

 

SE12N50FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE12N50FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SE12N50FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE12N50FRA даташит

 ..1. Size:1693K  cn sino-ic
 se12n50fra.pdf pdf_icon

SE12N50FRA

SE12N50FRA N-Channel Enhancement-Mode MOSFET with FR Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 500V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 0.58 @ VGS=10V FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

 9.1. Size:384K  cn sino-ic
 se12n65.pdf pdf_icon

SE12N50FRA

SE12N65 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =630m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

Другие MOSFET... SE1003 , SE10030A , SE10060A , SE10080A , SE100P60 , SE120120G , SE12060GA , SE1216 , TK10A60D , SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G .

History: SE15N50FRA | T2N7002AK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.