Справочник MOSFET. SE12N50FRA

 

SE12N50FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE12N50FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SE12N50FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE12N50FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1693K  cn sino-ic
 se12n50fra.pdf pdf_icon

SE12N50FRA

SE12N50FRA N-Channel Enhancement-Mode MOSFET with FR Revision: A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 500V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 0.58 @ VGS=10V FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

 9.1. Size:384K  cn sino-ic
 se12n65.pdf pdf_icon

SE12N50FRA

SE12N65N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =630m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations

Другие MOSFET... SE1003 , SE10030A , SE10060A , SE10080A , SE100P60 , SE120120G , SE12060GA , SE1216 , IRFZ24N , SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G .

History: IRFS3607 | DMN2020LSN | R5205CND | 65N06A | SRC60R045FB | GSM3484S | UTT200N03

 

 
Back to Top

 


 
.