SE12N65 Todos los transistores

 

SE12N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE12N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220 TO220F
 

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SE12N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  cn sino-ic
 se12n65.pdf pdf_icon

SE12N65

SE12N65N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =630m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations

 9.1. Size:1693K  cn sino-ic
 se12n50fra.pdf pdf_icon

SE12N65

SE12N50FRA N-Channel Enhancement-Mode MOSFET with FR Revision: A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 500V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 0.58 @ VGS=10V FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

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History: AP4436GM | AP20T15GI | HFU5N60F | IPS80R1K2P7 | NVD3055L170 | SE2101 | SM6012NSK

 

 
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