SE12N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE12N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
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SE12N65 datasheet
se12n65.pdf
SE12N65 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =630m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations
se12n50fra.pdf
SE12N50FRA N-Channel Enhancement-Mode MOSFET with FR Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 500V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 0.58 @ VGS=10V FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device
Otros transistores... SE10030A , SE10060A , SE10080A , SE100P60 , SE120120G , SE12060GA , SE1216 , SE12N50FRA , AO4407 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA .
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Liste
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