Справочник MOSFET. SE12N65

 

SE12N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE12N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SE12N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  cn sino-ic
 se12n65.pdf pdf_icon

SE12N65

SE12N65N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =630m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations

 9.1. Size:1693K  cn sino-ic
 se12n50fra.pdf pdf_icon

SE12N65

SE12N50FRA N-Channel Enhancement-Mode MOSFET with FR Revision: A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 500V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 0.58 @ VGS=10V FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: KIA6N70H-220F | IRF7210TR | STF20NF20 | MPSW65M045B | AUIRF7675M2TR | AO3402 | 3N60K

 

 
Back to Top

 


 
.