SE138U Todos los transistores

 

SE138U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE138U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: SOT323

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SE138U datasheet

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SE138U

SE138U N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision B General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V = 60V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R = 0.7 @ V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations S

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History: FDS86252 | TPCS8204 | TPCS8105 | FDS8638 | TPCS8102 | TPCS8101 | R6007MNJ

 

 

 

 

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