SE138U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE138U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Encapsulados: SOT323
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SE138U datasheet
se138u.pdf
SE138U N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision B General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V = 60V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R = 0.7 @ V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations S
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History: AOD466 | RUH120N70R | IRFB9N65APBF
History: AOD466 | RUH120N70R | IRFB9N65APBF
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