SE138U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SE138U  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: SOT323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SE138U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE138U даташит

 ..1. Size:617K  cn sino-ic
 se138u.pdf pdf_icon

SE138U

SE138U N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision B General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V = 60V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R = 0.7 @ V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations S

Другие IGBT... SE10060A, SE10080A, SE100P60, SE120120G, SE12060GA, SE1216, SE12N50FRA, SE12N65, CS150N04A8, SE150110G, SE150180G, SE150180GTS, SE15N50FRA, SE18NS65A, SE1991G, SE1991GA, SE200100G