SE138U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SE138U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: SOT323
SE138U Datasheet (PDF)
se138u.pdf
SE138UN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: BGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V = 60VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R = 0.7 @ V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurationsS
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD