SE18NS65A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE18NS65A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Encapsulados: TO220
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SE18NS65A datasheet
se18ns65a.pdf
Apr 2015 SE18NS65A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =160m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin conf
Otros transistores... SE1216 , SE12N50FRA , SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , 10N65 , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , SE2060 , SE20N110 , SE20P03 .
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