SE18NS65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SE18NS65A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 36.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 39 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 68 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE18NS65A

SE18NS65A Datasheet (PDF)

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se18ns65a.pdf

Apr 2015SE18NS65AN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =160m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin conf

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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